▲차세대 와이드밴드갭 반도체 분야 기술 개발․인력 양성을 위한 공유․협업체계 구축 ⓒ국제i저널

[국제i저널=경북 손보라기자] 경북대학교(총장 홍원화)는 5일 경북대 본관 중앙회의실에서 RFHIC(주), 한국전자기술연구원(KETI)과 차세대 와이드밴드갭 반도체 분야 산·학·연 협력 공동 기술 개발과 우수 인력 양성을 위한 공유·협업체계 구축을 주요 골자로 하는 산학협력 업무 협약을 체결했다.

협약 내용은 ▷차세대 와이드밴드갭 반도체 분야 산학연 공동 개발 프로젝트 수행 ▷반도체 파운드리 공정 구축사업 산학연 협력 ▷직무연수 및 연계 취업 협력 등이다.

경북대는 세계최고 속도인 1테라헤르츠급 차세대 반도체 소자 개발 등에 대한 세계적 연구 실적을 보유하고 있으며, 한국전자기술연구원(KETI)는 5G/6G 통신소자 분야에서 독보적인 기술적 우위를 선점하고 있다.

RFHIC는 세계 최초로 GaN 트랜지스터를 출시한 국내 유일의 GaN 부품 생산기업이다.

이번 협약 체결로 3개 기관은 5G의 RF 핵심 반도체 기술력을 유지하고, 향후 8년 뒤 상용화 예정인 6G 이동통신용 반도체 시장의 세계적 기술 우위를 확보하는데 상호공동 노력하기로 했다.

특히 3개 기관이 협력해 대구시에 ‘차세대 와이드밴드갭 반도체 전용팹’ 구축을 추진하기로 뜻을 모으기도 했다.

손보라 기자  borabora9206@naver.com

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